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内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流方案 |
典型应用电路: 输入电源为锂电池(3.2v≤Vin≤4.2v) 1.驱动负载150mA≤Io≤500mA (1)TP8350典型应用电路
锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路
建议各器件参数L=47uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容), Diode=1N58171N58181N5819, Cout为20uF电解电容(或20uF胆电容串联0.5欧姆电阻)和0.1uF陶瓷电容并联。 驱动400mA负载下,效率高于80% (2)TP8356典型应用电路
锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路 建议各器件参数L=100uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容), Diode=1N58171N58181N5819, Cout为20uF电容(不分电解电容、胆电容)串联0.5欧姆电阻和0.1uF陶瓷电容并联。 驱动400mA负载下,效率高于80%
2. 驱动负载Io<150mA时 TP8350、TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。
注意:TP8350、TP8356应用中陶瓷电容0.1uF~1uF必须接上,并且靠近芯片输出端。
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文章来源:http://www.tp-asic.com/te_news_industry/2009-09-08/65.chtml |